Acoplamento de óxidos metálicos em estruturas híbridas: propriedades e aplicações optoeletrônicas.
Prof. Dr. Luís Vicente de Andrade Scalvi - Possui graduação em Engenharia Química pela Universidade Federal de São Carlos (1983), mestrado em Física Aplicada pela Universidade de São Paulo (1986) (campus São Carlos) e doutorado em Física Aplicada pela Universidade de São Paulo (1991) (campus São Carlos). Fez livre-docência junto ao departamento de Física FC UNESP em 2002, concurso de efetivação em 2003 e concurso para professor Titular em 2010. Atualmente é Professor Titular (MS6) da Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho e foi coordenador do programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) (01/06/2013 a 31/10/2017). Pesquisador associado de Oregon State University, E.U.A. (06/1988-06/1990), pesquisador visitante, lab. Synchrotron SOLEIL, França (1-3/2009). Diretor do Instituo de Pesquisas Meteorológicas (IPMet)- 11/2011-5/2013. Tem experiência nas áreas de Física e Ciência dos Materiais, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: dioxido de estanho, sol-gel, semicondutores oxidos, filmes finos, transporte elétrico e arseneto de galio e aluminio.
Prof. Dr. Luís Vicente de Andrade Scalvi
Universidade Estadual Paulista, Brasil
Resumo
O acoplamento de óxidos metálicos transparentes com semicondutores orgânicos ou inorgânicos têm aplicação crescente na optoeletrônica. Heteroestruturado semicondutor óxido SnO2, depositado via sol-gel, com GaAs, mostra propriedades luminescentes expressivas, quando dopado com terras-raras Er ou Eu, relacionadoa desordem local e formação de dipolos elétricos. SnO2acoplado com TiO2 gerou comportamento típico dememristors (resistores de memória).SnO2formando compósitos com óxido de grafeno reduzido (rGO) gerou fotocondutividade persistentepróximo da temperatura ambiente e emissão no verde. Mais recentemente, heteroestruturas de filmes finos de TiO2 com derivados quinolínicos (DQ), orgânicos do tipo p, mostraram comportamento de junção p-n (retificador).Quando o óxido é dopado com Er ou Yb mostra emissão no azul, quando polarizado eletricamente, ou seja, comportamento típico de LED. O DQ usado é a molécula 4-(6-(dietilamino)-4-fenilquinolin-2-il)ácido benzóico, que é solubilizada em solventes orgânicos (acetona e THF) para deposição via spin-coating.O comportamento elétrico da estrutura híbrida de SnO2 com esse tipo de DQ, leva a junção p-n, quando polarizadopara transporte perpendicular aos filmes (contatos transversais). Acondução em perfil paralelo apresenta alta condutividade à temperatura ambiente, superior à condutividade dos filmes individualmente, sugerindo condução interfacial, semelhante a um gás de elétrons bidimensional (2DEG), que pode ser explorado em transístores transparentes de alta mobilidade.